堆积错位的新视角：克服高分辨率缺陱分析中的边缘限制

堆积错位——无论是固有还是外在——的本质，在晶体材料的缺陱介导过程中发挥关键作用。然而，当前的电子显微镜技术仅能可靠地分析局部倾斜错位或边缘配置的原子分辨率成像。本文通过引入一种高分辨率扫描透射电子显微镜（HRSTEM）方法，实现了对倾斜堆积错位的完整结构鉴别。我们针对 fcc、$L1_2$ 和 sphalerite 晶体中的各种错位进行了验证。该方法消除了对高分辨率分析中长期存在的几何约束，为沿着广泛使用的 [001] 和 [110] 区轴上所有滑动面上的堆积错位提供了全面的可及性。我们在 CoNi 基超合金中展示了该方法的鲁棒性，实现了即使叠加配置且薄膜厚度超过 100 nm 时也能清晰区分错位类型。还 presented for inclined 几何构型下的包围位错分析，揭示了错位的形成机制。仿真显示，错位诱导的去信道化是对比形成的关键因素，且受错位在样品内部深度的强烈支配。利用这一效应，我们进一步建立了一种人工生成超薄 TEM 薄膜的方法——由堆积错位本身界定——从而增强了对原子尺度 studies of 长程有序性、组成波动和纳米团块聚集的对比。