基底效应对 AB 型薄膜生长影响的蒙特卡洛模拟研究
材料科学
2012-10-17 v1 计算物理
摘要
本文采用一种基于蒙特卡洛方法的迭代算法来模拟 AB 型分子薄膜的生长与结晶过程。主要研究了物理气相沉积 (PVD) 技术，因为它是薄膜生长过程中最常用的技术之一。我们在一个立方区域内模拟了薄膜的形成，该区域包含 10000 个 A 型原子和 10000 个 B 型原子。为了体现原子间相互作用，计算考虑了直至第三近邻的晶胞。利用玻尔兹曼统计处理温度效应，将 A 和 B 原子均视为经典粒子。所提出的基底具有与薄膜相同的晶体结构，其模拟方法是将薄膜的第一层固定为完美晶体结构。通过对均方根粗糙度 (RMS) 参数进行解析和可视化采样，分析了薄膜表面的粗糙度。
引用
@article{arxiv.1210.4419,
title = {A Monte Carlo Simulation Study of Substrate Effect on AB TypeThin Film Growth},
author = {İzzet Paruğ Duru and Şahin Aktaş},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.4419},
year = {2012}
}
备注
12 pages, 17 figures