一种具有正确渐近行为且满足 Koopmans 定理的半导体屏蔽交换势
材料科学
2021-01-04 v5 计算物理
摘要
密度泛函理论的性能在很大程度上取决于所采用的交换泛函近似。我们在此提出一种新颖的半导体屏蔽交换势，其参数基于底层微观屏蔽的物理性质，并满足正确渐近行为的要求。我们证明该泛函满足 Koopmans 定理且能复现广泛的带隙。我们还表明，该泛函唯一的可调参数在等价替换阳离子或阴离子时可保持恒定，使该方法适用于处理合金。
关键词
引用
@article{arxiv.1907.08404,
title = {A Koopmans-compliant screened exchange potential with correct asymptotic behavior for semiconductors},
author = {Michael Lorke and Peter Deák and Thomas Frauenheim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.08404},
year = {2021}
}
备注
6 pages, 4 figures