基于非易失存储架构的芯片上重离子监测器——第二部分：器件表征与建模
仪器与探测器
2026-05-19 v1
摘要
建立在Part I中所示重离子监测器芯片（HIMoC） demonstrated 灵敏度基础上，我们对HIMoC进行了额外的辐照暴露，使用 N、Ne 和 Ar 24.8 MeV/u 束。开发了一种新型仿真工作流程，将粒子传输工具包 Geant4 与开源 TCAD 模拟器 DEVSIM 耦合，以对HIMoC器件中的重离子引起的信号进行建模。该模型将一次级重离子和次级电子的能量沉积表示为产生HIMoC器件中可测量的阈值电压位移的高斯电荷损失轮廓。获得了模拟与实验 分布之间的良好一致性。HIMoC也被证明可以生成与离子 fluence、LET 和有效探测器面积成比例的剂量量相关的信号。这些结果支持HIMoC作为被动重离子剂量计，并为对非易失存储器器件中辐射引起的电荷损失效应进行建模提供了框架。
引用
@article{arxiv.2605.16597,
title = {A Heavy Ion Monitor on a Chip Based on a Non-Volatile Memory Architecture -- Part II: Device Characterization & Modeling},
author = {Dale Julson and Mike Youngs and Hannah Lowrey and David Keltner and Tim Hossain and Clayton Fullwood},
journal= {arXiv preprint arXiv:2605.16597},
year = {2026}
}