新型氧硫族化物HgOCuSe中的类铁磁相变
强关联电子
2015-03-13 v1
摘要
我们报道了新型氧硫族化物HgOCuSe样品的合成。随着温度从室温降至约80 K，电阻率随函数减小。在 = 100 Oe的磁场下，约60 K处存在一个非常尖锐的类铁磁相变。与常规铁磁材料相反，在30 K时，磁滞回线的降场和升场分支在整个不可逆磁场范围内是反转的，并且这种反向不可逆性在5 K时减小。
引用
@article{arxiv.1105.5868,
title = {A ferromagnetic-like phase transition in new oxychalcogenide HgOCuSe},
author = {G. C. Kim and M. Cheon and I. S. Park and D. Ahmad and Y. C. Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.5868},
year = {2015}
}