掺杂反铁磁体的计算方法：轻掺杂CuO$_2$平面中两个自旋极化子之间的关联
强关联电子
2015-05-28 v2 超导电性
摘要
我们扩展了近期在Phys. Rev. Lett. 106 036401 (2011)中引入的方法，以研究准二维CuO2层中两个自旋极化子之间的关联。通过使用一种高效且精确的截断方案来模拟反铁磁背景，我们明确计算了在半填充CuO2平面(包含32个铜和64个氧位点)中引入两个掺杂空穴的低能波函数。能量学和波函数表明，电荷形成三自旋极化子，而自旋由三自旋极化子核心周围的扰动携带。低能带源于动能与有利于d(x^2-y^2)态的局域吸引势之间的竞争。最后，我们指出了预期在更大系统中保持稳健的特征。
引用
@article{arxiv.1107.4141,
title = {A computational approach to a doped antiferromagnet: correlations between two spin-polarons in the lightly doped CuO$_2$ plane},
author = {Bayo Lau and Mona Berciu and George. A. Sawatzky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.4141},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 7 figures, to appear in PRB