薄膜中$e_g$轨道 Hubbard 模型的比较 DMFT 研究
强关联电子
2014-07-09 v3
摘要
过渡金属氧化物异质结构已成为设计具有所需功能电子系统的新途径。受这些发展的启发，我们利用动力学平均场理论 (DMFT) 研究了沿立方 [001] 方向受限的薄膜几何结构中的双轨道 Hubbard 模型。我们将两种近似杂质求解器（精确对角化和单交叉近似）的结果与数值精确的连续时间量子蒙特卡洛求解器的结果进行了对比。与早期研究一致，我们发现单交叉近似在绝缘区表现良好，而基于精确对角化的求解器在金属区的优势更为明显。随后，我们研究了薄膜几何结构中强关联轨道系统的各个方面。特别是，我们展示了界面轨道极化如何在距界面几层内迅速衰减，以及薄膜厚度如何影响相互作用驱动的 Mott 相变位置。此外，我们探索了电子结构随载流子浓度的变化，并确定了强关联区中轨道极化的巨大变化。
引用
@article{arxiv.1310.5818,
title = {A comparative DMFT study of the eg-orbital Hubbard model in thin films},
author = {Andreas Rüegg and Hsiang-Hsuan Hung and Emanuel Gull and Gregory A. Fiete},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.5818},
year = {2014}
}
备注
11 pages, 11 figures