基于串联水平隧穿结的级联电子源
应用物理
2021-01-26 v1
摘要
片上电子源在微型真空电子器件中具有广泛的潜在应用，发射效率是其性能基准之一。本文提出一种基于串联金属-绝缘体-金属水平隧穿结的级联电子源，其中自由电子从每个隧穿结中加性抽取。具有 n 个水平隧穿结的级联电子源理论发射效率约为 η(n)=1-(1-η_0)^n，其中 η_0 为单个隧穿结的效率。实验上，演示了具有三个 Si-SiOx-Si 隧穿结的级联电子源，实现了高达 47.6% 的发射效率。该工作为实现高效片上电子源提供了新途径。
引用
@article{arxiv.2009.02552,
title = {A Cascade Electron Source Based on Series Horizontal Tunneling Junctions},
author = {Zhiwei Li and Xianlong Wei},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.02552},
year = {2021}
}
备注
4 pages, 3 figures