正常隧道结中电子隧穿的统计
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
考虑电路（环境）效应，对正常隧道结中电子隧穿的统计进行了解析和数值研究。对于任意观测时间，已找到完整的计数统计以及电压和相位的完整统计。理论分析基于经典主方程，而数值模拟采用标准蒙特卡洛方法。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0604479,
title = {Statistics of electron tunneling in normal tunnel junctions},
author = {P. J. Hakonen and A. Paila and E. B. Sonin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0604479},
year = {2009}
}
备注
17 pages, 4 figures