500 W 峰值功率腔倒空 2 微米 GaSb 基 VECSEL
光学
2021-10-05 v2
摘要
研制了一种单横模高脉冲能量 VECSEL。该 GaSb 基 VECSEL 发射波长为 2.04 微米，峰值功率超过 500 W，同时保持良好光束质量。谐振腔采用普克尔斯盒结合低损耗薄膜偏振器，将腔内能量选择性倾倒为 10 ns 脉冲。该激光器在非相干 LiDAR、材料加工、气体传感和非线性光学方面具有应用前景。
引用
@article{arxiv.2104.06962,
title = {500 W Peak Power Cavity Dumped 2-micron GaSb-Based VECSEL},
author = {Jacob Hoehler and Ricky Gibson and Jennifer Reed and Robert Bedford},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.06962},
year = {2021}
}
备注
10 PAGES, 5 FIGURES