用于RNG与低功耗存储器应用的MRAM的3T-1R模拟写入与数字读取
新兴技术
2022-05-02 v1
摘要
本工作将MTJ与30nm FinFET集成，用于低电压模拟写入操作，并针对p-bit或真随机数发生器(TRNG)进行读出优化，其中所诱导的p-bit（磁隧道结(MTJ)的概率态）仅在单个计算周期内被检测。该周期包含两个子周期：写入与联合读取及复位周期。MTJ的操作在针对可引发信号偏差的因素（如温度、材料退化或外部磁场）于期望工作点校准后，变为随机且独立的。
引用
@article{arxiv.2204.14204,
title = {3T-1R Analog Write and Digital Read of MRAM for RNG and Low Power Memory Application},
author = {Thomas Egler and Hans Dittmann and Sunanda Thunder and Artur Useinov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.14204},
year = {2022}
}