3d 过渡金属吸附诱导的锗烯谷极化反常霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2015-07-23 v2 材料科学
摘要
基于 DFT+U 和 Berry 曲率计算，我们研究了 3d 过渡金属 (TM) 原子（从 Ti 到 Co）吸附锗烯 (TM-germanene) 的电子结构和拓扑性质。我们发现，通过在锗烯表面吸附 Cr、Mn 或 Co 原子，可以实现谷极化反常霍尔效应 (VAHE)。在其纳米带中可以很容易地探测到有限的谷霍尔电压，这对于谷电子学器件非常重要。此外，通过移动系统的费米能，可以获得不同的谷极化电流，甚至可逆的谷霍尔电压。系统的这些多功能特性在下一代电子器件中展现出潜力。
引用
@article{arxiv.1507.03457,
title = {3d Transition Metal Adsorption Induced Vally-polarized Anomalous Hall Effect in Germanene},
author = {P. Zhou and L. Z. Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.03457},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 7 figures