基于氘处理硅的 1320 nm 光源
应用物理
2021-05-12 v1 材料科学
摘要
我们报道了一种来自纳米结构硅表面的、在 1320 nm 通信波长处的高效室温光子源。该光源的激活通过对硅片表面用含氢氟酸和硝酸混合物的重水（D2O）蒸气处理实现。无氘处理会在硅的带边产生强烈的发光带，而单独氘处理会在近红外 1320 nm 处产生强发光带。研究发现，氘积极参与了纳米结构硅表面的形成，这由 Si-O 振动模式的相对强度以及 N-D 键的存在所证实。该光子源的起源从氧相关缺陷态和位错的角度进行了讨论。由含氘混合物处理的硅表面表现出强整流电活性，正如在这些晶圆上制作的肖特基二极管所展示的那样。由于与成熟的硅电路兼容，该光源可能在光子学和光电子学中找到应用。
引用
@article{arxiv.2105.04653,
title = {1320 nm Light Source From Deuterium Treated Silicon},
author = {Seref Kalem},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.04653},
year = {2021}
}