半导体中表面台阶处的位错形成：第一性原理研究
材料科学
2007-09-12 v1
摘要
通过大规模第一性原理计算，研究了简单表面缺陷（如台阶）在弛豫施加于半导体的应力中的作用。结果表明，台阶是引发塑性的优先位置，在拉伸和压缩变形下均会形成并滑移 60位错。我们还考察了表面和台阶终止对塑性机制的影响。
引用
@article{arxiv.0709.1579,
title = {Dislocation formation from a surface step in semiconductors: an ab initio study},
author = {Julien Godet and Sandrine Brochard and Laurent Pizzagalli and Pierre Beauchamp and Jose M. Soler},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.1579},
year = {2007}
}