MnSi 中涨落斯格明子织构的弱结晶
强关联电子
2020-01-01 v1 材料科学
摘要
我们报道了在过渡金属螺旋磁体 MnSi 中，从顺磁态到斯格明子晶格相变过程中非平庸拓扑缠绕和长程序出现的实验研究。结合磁化率、小角中子散射、中子共振自旋回波谱和全电微波谱的测量，我们发现了顺磁态中尺度超过 \AA、寿命高于数 s 的斯格明子织构的证据。我们的实验结果表明，MnSi 中顺磁态到斯格明子晶格的相变可由弱结晶的朗道软模机制很好地描述，该机制最初是在液-晶相变的背景下提出的。作为该理论模型的一个关键方面，磁化强度周期性小振幅分量的调制矢量形成相加为零的三角形。与我们的实验发现高度一致，这些调制矢量的三角形意味着在接近斯格明子晶格相变时，MnSi 的顺磁态中已存在斯格明子非平庸拓扑缠绕。
引用
@article{arxiv.1911.05095,
title = {Weak crystallization of fluctuating skyrmion textures in MnSi},
author = {J. Kindervater and I. Stasinopoulos and A. Bauer and F. X. Haslbeck and F. Rucker and A. Chacon and S. Mühlbauer and C. Franz and M. Garst and D. Grundler and C. Pfleiderer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.05095},
year = {2020}
}