电子掺杂 Cuprate 超导体中的弱耦合 Bardeen-Cooper-Schrieffer 超导性

L. Shan; Y. Huang; Y. L. Wang; Shiliang Li; Jun Zhao; Pengcheng Dai; Y. Z. Zhang; C. Ren; H. H. Wen

doi:10.1103/PhysRevB.77.014526

电子掺杂 Cuprate 超导体中的弱耦合 Bardeen-Cooper-Schrieffer 超导性

超导电性 2008-08-07 v2

作者: L. Shan , Y. Huang , Y. L. Wang , Shiliang Li , Jun Zhao , Pengcheng Dai , Y. Z. Zhang , C. Ren , H. H. Wen

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

我们利用平面隧道光谱研究了电子掺杂铜氧化物中局部超导间隙 $\Delta(T)$ 的温度依赖性，所考察的材料具有不同的 $T_c$ 和 Ce 掺杂浓度。我们指出， $\Delta(T)$ 的温度依赖性符合 Bardeen-Cooper-Schrieffer (BCS) 超导理论的预期，其中 $\Delta(0)/k_{B}T_{c}\approx1.72\pm 0.15$ ， $\Delta(0)$ 为费米面上平均超导间隙，适用于所调查的所有掺杂水平。这些结果表明，电子掺杂的超导铜氧化物是弱耦合 BCS 超导体。

关键词

BCS 理论超导性电子掺杂 Cuprate 隧道光谱间隙温度依赖性

引用

@article{arxiv.cond-mat/0703256,
  title  = {Weak coupling Bardeen-Cooper-Schrieffer suerconductivity in the Electron-Doped Cuprate Superconductors},
  author = {L. Shan and Y. Huang and Y. L. Wang and Shiliang Li and Jun Zhao and Pengcheng Dai and Y. Z. Zhang and C. Ren and H. H. Wen},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703256},
  year   = {2008}
}

备注

5 pages, 4 figures

电子掺杂 Cuprate 超导体中的弱耦合 Bardeen-Cooper-Schrieffer 超导性

摘要

关键词

引用

备注

相关论文