表面等离激元极化激元诱导的体硅紫发射
材料科学
2016-08-03 v1
摘要
由于间接带隙和激发态强烈的声子辅助衰变，硅长期以来被认为是一种劣质发光材料。然而，我们揭示了体硅在室温下于带间跃迁 SiE{\Gamma}1 的近紫外光谱范围内，表现出高效的 368 nm 准单色光致发光。光学和电子能谱实验表明，该发射与位于 SiO/Si 界面的表面等离激元极化激元 (SPP) 存在明确关联。所呈现的结果证明，所揭示的发光效应源于 SPP 的产生与衰变，而 SPP 是表面等离激元、光以及体带间跃迁的混合体。SPP 在厚度约为近紫外波穿透深度 (~80 nm) 的硅层中演化，并因其混合特性而具有高激发振幅。该效应似乎易于应用于开发基于现有硅技术的近紫外光源。
引用
@article{arxiv.1608.00793,
title = {Violet emission from bulk Si prompted by surface plasmon polaritons},
author = {Ventsislav M. Lavchiev and Valerii M. Mikoushkin and Gang Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.00793},
year = {2016}
}
备注
12 pages, 4 figures, 1 table, 51 references