邻 vicinal 硅表面:从台阶密度波到刻面化
材料科学
2011-11-10 v1
摘要
本文研究了在原子台阶透明机制下由电迁移诱导的刻面化机制。为此,我们通过原位(光学衍射、电子显微镜)以及非原位(AFM、微轮廓仪)可视化技术研究了几种邻 vicinal 取向。数据显示刻面化过程分为两个阶段。第一阶段较短,导致出现台阶密度波,其波长大致与表面取向无关。第二阶段慢得多,导致形成山丘 - 山谷结构,其周期取决于初始表面取向。一个简单的连续介质模型使我们能够指出为何台阶密度波的波长不依赖于表面的微观细节。最终波长由弹性台阶 - 台阶相互作用与刻面边缘能量成本之间的竞争控制。最后,表面应力的角度依赖性被证明是从台阶模型中涌现出的粗粒化图像。
引用
@article{arxiv.0706.2265,
title = {Vicinal silicon surfaces: from step density wave to faceting},
author = {F. Leroy and P. Muller and J. J. Metois and O. Pierre-Louis},
journal= {arXiv preprint arXiv:0706.2265},
year = {2011}
}
评论
26 pages, 9 figures