用于未释放硅基波导中大受激布里渊散射的纵向工程
光学
2021-03-17 v1
摘要
硅基波导中的强声光相互作用通常要求释放硅芯以避免机械泄漏到下层二氧化硅衬底中。这使制备复杂化、限制热化、降低机械鲁棒性，并阻碍单芯片上的大面积光机械器件。在此，我们通过采用纵向光子-声子工程克服了这一限制。具体而言，在硅导芯与二氧化硅衬底之间插入厚氮化硅层有助于减少 GHz 频率声子泄漏，从而在未释放平台上实现大布里渊增益值。对于不同构型，我们获得约 300 (Wm) 的布里渊增益值，其在低温下工作可进一步提高。这些值应能在厘米级波导或更紧凑的环形谐振器中观测到布里渊相关现象。该发现可为硅芯片上大面积未释放腔与波导光力学铺平道路。
引用
@article{arxiv.2011.02186,
title = {Vertical engineering for large stimulated Brillouin scattering in unreleased silicon-based waveguides},
author = {Laura Mercadé and Alexander V. Korovin and Yan Pennec and Bahram Djafari Rouhani and Alejandro Martínez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.02186},
year = {2021}
}