分数量子霍尔 regime 下垂直约束及再入绝缘相的演化
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1
摘要
我们观察到在狭窄 GaAs/AlGaAs 量子井中严格约束的二维电子体（2DES）的高场再入绝缘相出现异常位移。与已知的高场绝缘态以 为中心的转变不同，宽度为 80 Å 的量子井中的 2DES 显示出在 处的转变。较大的量子寿命使 2DES 在狭小井中几乎无序，指向约束为再入转变演化的主要驱动力。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0302467,
title = {Vertical Confinement and Evolution of Reentrant Insulating Transition in the Fractional Quantum Hall Regime},
author = {I. Yang and W. Kang and S. T. Hannahs and L. N. Pfeiffer and K. W. West},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0302467},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures