半氢化石墨烯中的垂直吸收边与普适起始电导
介观与纳米尺度物理
2015-05-14 v1
摘要
我们证明,对于两个子格间在位能具有任意有限差值 () 的石墨烯,其光学吸收边由 决定。普适电导将被破坏,且带边附近的电导随频率按 变化。此外,我们识别了此类无反转对称性系统的另一个普适电导,即带边处的起始电导为 ,与带隙大小无关。尽管带隙打开,总积分光学响应几乎守恒。
引用
@article{arxiv.0911.2040,
title = {Vertical absorption edge and universal onset conductance in semi-hydrogenated graphene},
author = {Lei Chen and Zhongshui Ma and C. Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:0911.2040},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures