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半氢化石墨烯中的垂直吸收边与普适起始电导

介观与纳米尺度物理 2015-05-14 v1

摘要

我们证明,对于两个子格间在位能具有任意有限差值 (Δ\Delta) 的石墨烯,其光学吸收边由 Δ\Delta 决定。普适电导将被破坏,且带边附近的电导随频率按 1/ω21/\omega^2 变化。此外,我们识别了此类无反转对称性系统的另一个普适电导,即带边处的起始电导为 σc=2σ0=πe2/2h\sigma_c=2\sigma_0=\pi e^2/2h,与带隙大小无关。尽管带隙打开,总积分光学响应几乎守恒。

关键词

引用

@article{arxiv.0911.2040,
  title  = {Vertical absorption edge and universal onset conductance in semi-hydrogenated graphene},
  author = {Lei Chen and Zhongshui Ma and C. Zhang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0911.2040},
  year   = {2015}
}

备注

4 pages, 4 figures