验证Hong-Ou-Mandel凹陷中的纠缠
量子物理
2015-05-20 v1
摘要
Hong-Ou-Mandel干涉凹陷是由一个纠缠态，即一个离域的双光子态引起的。我们提出了一种通过利用逆Hong-Ou-Mandel干涉来探测这种纠缠的方法，同时考虑了真空和多光子污染、相位噪声以及其他不完美因素。该方法仅使用线性光学和光电探测器，对于单模光电探测器，我们找到了纠缠量的一个下界。
引用
@article{arxiv.1101.0846,
title = {Verifying entanglement in the Hong-Ou-Mandel dip},
author = {Megan R. Ray and Steven J. van Enk},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.0846},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 2 figures