霍普森晶格上掺杂 $t$-$J$ 模型的变分蒙特卡洛研究
强关联电子
2024-06-25 v1
摘要
二分图 - 模型的基态必须满足特定的符号结构,基于此,我们构建了单孔和双孔基态 ansatz 在霍普森晶格上的变分蒙特卡洛(VMC)方法进行研究。VMC 结果与精确对角化(ED)计算结果良好一致。对于单孔情况,退化基态由自旋 1/2 和轨道角动量 的量子数特征化。后者与孔/自旋-1/2 作为复合物体或“扭绞孔”围绕其周围的量子自旋/孔形成的自旋/孔旋流有关。在大样本极限下,展示了零准粒子谱权。对于双孔基态,孔在库仑轨道中形成具有 + 对称性的自旋单偶子配对,但作为 tightly 绑定的“扭绞孔”对,则具有 波对称性。这种二元对偶的配对机制可归因于消除与长程反铁磁关联无关的局部自旋流。有限掺杂下的超导基态也简要讨论了以 tightly 绑定的孔对作为构建单元。
关键词
引用
@article{arxiv.2406.16865,
title = {Variational Monte Carlo Study of the Doped $t$-$J$ Model on Honeycomb Lattice},
author = {Can Cui and Jing-Yu Zhao and Zheng-Yu Weng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.16865},
year = {2024}
}
备注
14 pages, 11 figures