新型复杂无序高熵自旋氧化物中均场理论的验证

高熵氧化物的出现催生了广泛的研究热情，由于其异常的功能性能常常远超其组成元素单一特性之和。本研究引入一种复杂高熵自旋氧化物，配分物为(Ni$_{0.2}$Mg$_{0.2}$Co$_{0.2}$Cu$_{0.2}$Zn$_{0.2}$)(Mn$_{0.66}$Fe$_{0.66}$Cr$_{0.66}$)O$_{4}。我们对该材料进行了全面的结构（X射线和中子衍射）、微观结构、磁性和局部电子结构调查。尽管材料具有高度无序性，详细的磁化 measurements 和低温中子粉末衍射研究表明其在293 K 开始呈现长程铁磁有序。该样品在50 K时表现出高饱和磁化值为766 emu-cm${^3}$，低 coercivity（H$_C$）为100 Oe（50 K），高临界温度（T$_C$）约为室温，室温电阻率为4000欧厘米，表明其潜力适用于高密度存储器件。通过采用k = 0,0,0的共线型铁磁模型确定磁结构。多种分析技术，包括修改Arrott图、Kouvel-Fischer分析和临界等温线分析，用于探讨该复杂系统的相变和磁性。我们的结果表明为二级相变。惊人的是，尽管结构复杂且无序显著，所获得的临界指数与均场模型一致。高熵导致多个阳离子分布极其均匀，验证了平均局部磁环境的近似，支持了均场理论。