Weyl半金属TaP中不饱和的巨大正负磁阻
强关联电子
2016-03-29 v1
摘要
成功生长出TaP单晶后，我们在2-300K温度范围内、高达9T的磁场下测量了其纵向电阻率（ρxx）和霍尔电阻率（ρyx）。研究发现，在2K时其磁阻（MR）在8T下达到328000%，在300K时达到176%，且两者均未出现饱和。我们证实TaP确实是一种低载流子浓度、空穴-电子补偿的半金属，具有高空穴迁移率μh=371000 cm²V⁻¹s⁻¹，并发现在室温下发生了磁场诱导的金属-绝缘体转变。值得注意的是，当磁场（H）平行于电场（E）施加时，观测到了由手性反常引起的负磁阻，其在9T下达到-3000%，同样没有任何饱和迹象，这与其他Weyl半金属（WSMs）不同。对叠加在磁阻上的Shubnikov-de Haas（SdH）振荡的分析表明，TaP中存在一个具有0.3958强偏移的非平庸Berry相位，这是载流子包围Weyl节点的特征。这些结果表明，TaP不仅是揭示WSM态基础物理的有前景的候选材料，也可用于一些新颖的应用。
引用
@article{arxiv.1507.05246,
title = {Unsaturated both large positive and negative magnetoresistance in Weyl Semimetal TaP},
author = {Jianhua Du and Hangdong Wang and Qianhui Mao and Rajwali Khan and Binjie Xu and Yuxing Zhou and Yannan Zhang and Jinhu Yang and Bin Chen and Chunmu Feng and Minghu Fang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.05246},
year = {2016}
}
备注
5 papes, 4 figures