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有机狄拉克电子系统中磁电阻的普适行为

强关联电子 2020-10-28 v1

摘要

在静水压力下研究了有机无质量狄拉克电子系统(OMDES)α\alpha-(BEDT-TTF)2_2I3_3θ\theta-(BEDT-TTF)2_2I3_3,以及可能的 OMDES 候选 α\alpha-(BETS)2_2I3_3α\alpha-(BEDT-STF)2_2I3_3 的面内磁电阻。我们发现了在垂直于二维平面的低磁场下,面内磁电阻的普适行为。对于 α\alpha-(BEDT-TTF)2_2I3_3,利用温度、磁场及其方向参数检验了该普适性。我们指出,在中等压力下当热能超过能隙时,即便对于 α\alpha-(BEDT-TTF)2_2I3_3 的带隙态,也存在普适的磁电阻行为。

关键词

引用

@article{arxiv.2010.09160,
  title  = {Universal Behavior of Magnetoresistance in Organic Dirac Electron Systems},
  author = {Ryotaro Kobara and Shin Igarashi and Yoshitaka Kawasugi and Ryusei Doi and Toshio Naito and Masafumi Tamura and Reizo Kato and Yutaka Nishio and Koji Kajita and Naoya Tajima},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2010.09160},
  year   = {2020}
}

备注

11 pages, 4 figures