有机狄拉克电子系统中磁电阻的普适行为
强关联电子
2020-10-28 v1
摘要
在静水压力下研究了有机无质量狄拉克电子系统(OMDES)-(BEDT-TTF)I 与 -(BEDT-TTF)I,以及可能的 OMDES 候选 -(BETS)I 和 -(BEDT-STF)I 的面内磁电阻。我们发现了在垂直于二维平面的低磁场下,面内磁电阻的普适行为。对于 -(BEDT-TTF)I,利用温度、磁场及其方向参数检验了该普适性。我们指出,在中等压力下当热能超过能隙时,即便对于 -(BEDT-TTF)I 的带隙态,也存在普适的磁电阻行为。
引用
@article{arxiv.2010.09160,
title = {Universal Behavior of Magnetoresistance in Organic Dirac Electron Systems},
author = {Ryotaro Kobara and Shin Igarashi and Yoshitaka Kawasugi and Ryusei Doi and Toshio Naito and Masafumi Tamura and Reizo Kato and Yutaka Nishio and Koji Kajita and Naoya Tajima},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.09160},
year = {2020}
}
备注
11 pages, 4 figures