无序二维晶体中准半填充能带的单位化极限与量子干涉效应
超导电性
2009-11-07 v1 无序系统与神经网络
摘要
基于自洽 T 矩阵近似, 利用图谱技术, 研究了弱无序准半填充能带二维晶体中的量子干涉(QI)效应。除了常规的 0 模型 cooperon 和 diffuson 外, 在单位化极限下由于粒子-空穴对称性, 还存在 π 模型 cooperon 和 diffuson。由于准确嵌套费米面偏离, 扩散 π 模型被脱能。具有被脱能 π 模型 cooperon 或 diffuson 的导电图谱被发现会导致 QI 效应的非常规特征。除了无穷散, 热涨落也被证明是与扩散 π 模型相关的 QI 过程中的重要脱相干机制。在嵌套情况接近时, 由于 π 模型 diffuson, 出现幂律反局化效应。对于大偏离嵌套费米面的情况, 该反局化效应被抑制, 导电性保持由 0 模型 cooperon 贡献的常规对数弱局化修正。因此, 在单位化极限下, 直流导电性随温度或样品尺寸呈非单调函数, 这与常规弱局化理论的预测截然不同。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0211324,
title = {Unitary limit and quantum interference effect in disordered two-dimensional crystals with nearly half-filled bands},
author = {Y. H. Yang and D. Y. Xing and Y. G. Wang and M. Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0211324},
year = {2009}
}
备注
21 pages, 4 figures