量子干涉与结构依赖的轨道填充效应对量子点分子热电性质的影响
介观与纳米尺度物理
2015-07-02 v2
摘要
通过库仑阻塞区Hubbard-Anderson模型的完全解，阐明了具有高优值的量子点分子的热电(TE)性质所受的量子干涉与轨道填充效应。研究发现，在三角形量子点分子(TQDM)中特定条件下会发生相消量子干涉(QI)，导致电导极小消失，而Seebeck系数发生剧烈改变。当TQDM由于QI处于电荷局域态时，Seebeck系数在低温下被严重抑制，但在高温下高度增强。同时，Lorenz数的行为表明，在高温下通过相消QI阻断电荷输运比阻断电子热输运更容易。TQDM中的最大功率因子(PF)出现在完全填充条件。然而，一般而言，串行耦合三量子点中优选低填充条件以获得最大PF。在双量子点中，由于电子-空穴对称性，最大PF可通过轨道耗尽或轨道填充实现。我们的理论工作为推进纳米级TE技术提供了有用指南。
引用
@article{arxiv.1505.03944,
title = {Quantum interference and structure-dependent orbital-filling effects on the thermoelectric properties of quantum dot molecules},
author = {Chih-Chieh Chen and David M T Kuo and Yia Chung Chang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.03944},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 8 figures and errors correction