纵向和色散读出的统一Floquet理论

我们构建了电路量子比特中纵向和色散读出的Floquet理论。通过研究耦合于腔体光子并驅动腔体共振频率 $\omega_{\rm r}$ 的量子比特，我们建立了量子比特AC Stark位移和纵向、色散耦合光子之间的普遍联系。我们发现，纵向耦合 $g_\parallel$ 由驅动强度 $A_{\rm q}$ 作为函数的AC Stark位移的斜率控制，而色散位移 $\chi$ 取决于其曲率。在弱驅动极限($A_{\rm q}\rightarrow 0$)下，这两个量彼此比例。我们的ethods将绝热极限($\omega_{\rm r}\rightarrow 0$)——其中 $g_\parallel$ 由静态谱的曲率(或量子电容)生成——与准绝热极限统一了，后者中静态谱不发挥作用。我们推导了支持严格数值模拟的解析结果。我们将其应用于超导和自旋混合cQED系统，展示了快速于色散读出的灵活性。