交变磁体MnTe薄膜中反常霍尔效应的意外调控
材料科学
2024-09-10 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
如果能够找到具有可调谐且强反常霍尔效应（AHE）的材料，那么对反铁磁体磁态敏感的反常霍尔效应的发现将可能触发自旋电子学的新时代。交变磁体是一类新型材料，在某些条件下可以表现出强AHE，而无需净磁化强度。但控制其AHE的能力仍然缺乏。在本研究中，我们证明了在GaAs(111)衬底上生长的交变磁体α-MnTe的AHE可以通过在面内磁场下冷却材料来“按需写入”。该磁场控制着AHE的强度和矫顽力。值得注意的是，这种控制是生长在GaAs上的α-MnTe所独有的，而在SrF2上生长的α-MnTe中则不存在。我们揭示的这种可调性挑战了我们目前对该材料中对称性允许的AHE的理解，并为交变磁自旋电子器件的设计开辟了新的可能性。
引用
@article{arxiv.2409.04567,
title = {Unexpected Tuning of the Anomalous Hall Effect in Altermagnetic MnTe Thin Films},
author = {Sara Bey and Shelby S. Fields and Nicholas G. Combs and Bence G. Márkus and Dávid Beke and Jiashu Wang and Anton V. Ievlev and Maksym Zhukovskyi and Tatyana Orlova and László Forró and Steven P. Bennett and Xinyu Liu and Badih A. Assaf},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.04567},
year = {2024}
}