超低电流密度且无偏置磁场的自旋转移纳米振荡器
介观与纳米尺度物理
2015-03-13 v1
摘要
自旋转移纳米振荡器（STNO）提供了利用自旋极化电流转移自旋角动量来产生微波信号的可能性。然而，目前 STNO 的微波发射主要依赖于大的驱动电流和外部磁场。这些问题在功耗和尺寸方面阻碍了 STNO 在实际应用中的实现。在此，我们报告了对基于 MgO 磁性隧道结构建的 STNO 的微波测量，该隧道结具有平面极化器与垂直自由层，其中观察到了在超低电流密度下激发且无任何偏置磁场的大输出功率微波发射。测得的临界电流密度比此前报道的小一个数量级以上。这些结果表明 STNO 与互补金属氧化物半导体技术改进集成的可能性，并可代表开发下一代片上振荡器的新途径。
引用
@article{arxiv.1303.5562,
title = {Ultralow-current-density and bias-field-free spin-transfer nano-oscillator},
author = {Zhongming Zeng and Giovanni Finocchio and Baoshun Zhang and Pedram Khalili Amiri and Jordan A. Katine and Ilya N. Krivorotov and Yiming Huai and Juergen Langer and Bruno Azzerboni and Kang L. Wang and Hongwen Jiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.5562},
year = {2015}
}
备注
18 pages, 4 figures