用于优化片上探测器设计的自旋霍尔纳米振荡器经验电学模型
介观与纳米尺度物理
2024-12-17 v1 材料科学
应用物理
摘要
作为新兴的非线性振荡器，纳米收缩自旋霍尔纳米振荡器（SHNOs）在集成到更复杂系统（如神经网络、磁场传感器和射频（RF）信号分类）中展现出巨大潜力，其可调谐的高频工作范围、易于同步以及CMOS兼容性可以简化过程。要在任何这些网络中实现SHNOs，需要在设计信号检测CMOS电路之前了解单个器件的电学特性。本研究重点在于基于单个SHNO的输出阻抗及其在2-10 GHz范围内不同偏置电流下的可用输出功率的综合表征，提出SHNO的经验电学模型。
引用
@article{arxiv.2404.10334,
title = {Spin Hall Nano-Oscillator Empirical Electrical Model for Optimal On-chip Detector Design},
author = {Rafaella Fiorelli and Mona Rajabali and Roberto Méndez-Romero and Akash Kumar and Artem Litvinenko and Teresa Serrano-Gotarredona and Farshad Moradi and Johan Åkerman and Bernabé Linares-Barranco and Eduardo Peralías},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.10334},
year = {2024}
}
备注
6 pages