基于掺杂硅的超宽带太赫兹/红外超材料吸收体
光学
2019-01-30 v2 应用物理
摘要
基于超材料的吸收体在太赫兹（THz）波段已被广泛研究，其性能不断提升。本文提出一种基于掺杂硅的全介质太赫兹吸收体。其单元结构由一个带有内部十字形空气腔的硅十字谐振器组成。数值结果表明，所提出的吸收体可在从太赫兹到中红外的范围内工作，在0.6至10 THz间平均功率吸收率大于95%。基于太赫兹时域光谱技术的实验结果与仿真吻合良好。宽带吸收的内在机制归因于硅谐振器形成的多腔模式与衬底体吸收的共同作用，这由仿真场分布所证实。该超宽带吸收具有偏振不敏感性，并可在较宽的入射角范围内工作。所提出的吸收体可便捷集成于硅基平台，有望应用于传感、成像、能量收集及无线通信系统。
引用
@article{arxiv.1809.09400,
title = {Ultra-wideband THz/IR Metamaterial Absorber based on Doped Silicon},
author = {Huafeng Liu and Kai Luo and Danhua Peng and Fangjing Hu and Liangcheng Tu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.09400},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 5 figures