基于掺杂硅的超宽带太赫兹完美吸收体
应用物理
2018-07-03 v1
摘要
基于掺杂半导体的超材料完美吸收体（MPA）的需求因成熟的制备与仿真技术而稳步增长。利用掺杂半导体开发太赫兹（THz）完美吸收体以实现偏振无关、广角与宽带吸收等特性尤为引人关注。我们报道了基于掺杂硅锥形微圆柱结构图形化阵列的 MPA，使其具备宽带、广角与偏振无关响应。本工作中，我们使用 COMSOL Multiphysics 对 MPA 结构建模，借助其 RF 模块在 Beowulf 集群上并行运行以评估其电磁波响应。我们评估了掺杂硅 MPA 结构在 0.1 至 5.0 THz 频谱内对横磁与横电偏振在法向及高达 75 度斜入射下的响应。该提出的掺杂硅 MPA 被发现可在 1.7 至 3.9 THz 的宽频谱上支持完美吸收，且对偏振与入射角（高达 60 度）不敏感。在简化 Beowulf 集群上执行 MPA 相较串行仿真将仿真时间减少了数个数量级。
关键词
引用
@article{arxiv.1807.00348,
title = {Ultra-Broadband Terahertz Perfect Absorber based on Doped Silicon},
author = {Ankit Vora and Satyadhar Joshi and Arun Matai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.00348},
year = {2018}
}