绝缘体上铌酸锂芯片上超亮复用能量-时间纠缠光子生成
量子物理
2021-06-30 v1 光学
摘要
高通量纠缠光子源是量子光学研究与应用的关键资源。本文在绝缘体上铌酸锂（LNOI）芯片上实现了该源，其光子对产生率为2.79×10^11 Hz/mW，光谱亮度为1.53×10^9 Hz/nm/mW。相比现有技术，这些数据提升了两个数量级以上。为实现8通道复用能量-时间纠缠，设计了130 nm带宽。借助高消光频率关联及可见度高达99.17%的Franson干涉，这种能量-时间纠缠复用进一步提升了高通量数据率，并保障了片上量子信息处理的广泛应用。
引用
@article{arxiv.2012.06092,
title = {Ultra-bright multiplexed energy-time entangled photon generation from lithium niobate on insulator chip},
author = {Guang-Tai Xue and Yun-Fei Niu and Xiaoyue Liu and Jia-Chen Duan and Wenjun Chen and Ying Pan and Kunpeng Jia and Xiaohan Wang and Hua-Ying Liu and Yong Zhang and Ping Xu and Gang Zhao and Xinlun Cai and Yan-Xiao Gong and Xiaopeng Hu and Zhenda Xie and Shining Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.06092},
year = {2021}
}
备注
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