UCSB关于CSQ项目的最终报告：超导量子比特退相干与材料物理综述
量子物理
2014-10-22 v1 介观与纳米尺度物理
超导电性
摘要
我们回顾了加州大学圣塔芭芭拉分校在理解超导量子比特退相干物理方面取得的进展。尽管在过去五年中研究并解决了多种退相干机制，但最重要的几种包括非晶介电质中的二能级态缺陷、杂散红外光产生的非平衡准粒子，以及向槽线模式的辐射。通过改进设计，采用Xmon设计的集成电路transmon量子比特的性能现已接近世界纪录：这些器件在扩展至9个量子比特时仍能保持相干性，这是其优势所在。
引用
@article{arxiv.1410.5793,
title = {UCSB final report for the CSQ program: Review of decoherence and materials physics for superconducting qubits},
author = {John M. Martinis and A. Megrant},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.5793},
year = {2014}
}
备注
10 pages, 1 figure