少层锡烯中的 II 型伊辛配对
超导电性
2020-04-22 v1
摘要
自旋轨道耦合在实现拓扑材料以及近来在二维超导体中的伊辛配对方面已被证明不可或缺。该配对机制依赖于反演对称破缺，并维持异常大的面内极化磁场，其上限预期在低温下发散，尽管由于所需磁场的实验证明一直难以实现。本工作中，新近发现的超导体少层锡烯（即外延应变 -Sn）被表明在靠近 点具有不同轨道指标的能带中的载流子之间展现出一种新型伊辛配对。这些能带因自旋轨道锁定而劈裂，无需反演对称破缺参与。面内上限临界场在极低温下被强烈增强，并揭示了所寻求的回升。
引用
@article{arxiv.1903.07627,
title = {Type-II Ising Pairing in Few-Layer Stanene},
author = {Joseph Falson and Yong Xu and Menghan Liao and Yunyi Zang and Kejing Zhu and Chong Wang and Zetao Zhang and Hongchao Liu and Wenhui Duan and Ke He and Haiwen Liu and Jurgen H. Smet and Ding Zhang and Qi-Kun Xue},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.07627},
year = {2020}
}