硅基中抗电荷噪声且利用神经网络补偿串扰的双量子比特 CZ 门
介观与纳米尺度物理
2022-06-30 v3 量子物理
摘要
使用硅自旋量子比特的双量子比特门保真度受电荷噪声限制。当尝试使用局部回波脉冲动态补偿电荷噪声时，串扰会引起复杂问题。我们提出一种使用深度神经网络优化解析设计的组合脉冲序列各组分的方法，从而得到一种抗电荷噪声误差且同时考虑串扰的双量子比特门。我们分析了两个受实验启发的场景。对于强 EDSR 驱动且串扰可忽略的场景，该组合脉冲序列比简单余弦脉冲提升高达一个数量级。在中等 ESR 驱动且串扰可观以至于简单解析控制场无效的场景中，使用神经网络方法的优化使人能在存在串扰时仍保持数量级的提升。
引用
@article{arxiv.2202.00572,
title = {Two-qubit CZ gates robust against charge noise in silicon while compensating for crosstalk using neural network},
author = {David W. Kanaar and Utkan Güngördü and J. P. Kestner},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.00572},
year = {2022}
}
备注
10 pages, 12 figures, supplementary materials included as ancillary files