包含高阶轴矢耦合的 $V+$喷注产生双圈螺旋度振幅

我们计算了与强子对撞机上产生电弱玻色子 $V=Z,W^\pm,\gamma^*$ 和喷注相关的所有部分子道的双圈量子色动力学(QCD)修正。我们考虑矢量玻色子 $V$ 衰变到三个部分子 $V \to q\bar{q}g$、$V \to ggg$,在两道中均含矢量与轴矢耦合,包括单态与非单态贡献。对于夸克道,我们使用近期提出的张量分解并将计算扩展到 $\mathcal{O}(\epsilon^2)$。对于胶子道,我们定义了一种新的张量分解,使我们能够一次性计算矢量与轴矢振幅,并将振幅计算进行到 $\mathcal{O}(\epsilon^2)$。我们给出了解析延拓到所有相关散射区 $q\bar{q} \to V g$、$q g \to V q$ 和 $gg \to V g$ 的螺旋度振幅的有限余项。胶子诱导道中的轴矢贡献补全了该过程的双圈振幅集合,而对 $\mathcal{O}(\epsilon^2)$ 的扩展则代表了计算强子对撞机上 $Z$+喷注产生次-次-次领头阶(N$^3$LO)QCD 修正的第一步。