硅中V族施主的双电子态：基于原子级全组态相互作用的研究
介观与纳米尺度物理
2018-05-09 v1
摘要
束缚于硅中施主的双电子态对于双量子比特门和自旋读出都至关重要。我们提出了一种在原子级紧束缚基组下的全组态相互作用技术，以捕捉多电子交换和相关效应，同时考虑硅的完整能带结构以及纳米级器件的原子尺度颗粒性。研究发现，具有 对称性的激发 类态强烈影响负施主中心的充电能。我们将该技术应用于受栅极电场作用的次表面掺杂剂，结果表明，由于充电能的降低，束缚三重态出现在能谱中。在不同约束条件下获得的针对双电子态的交換能，可能为施主-量子点混合量子比特中的自旋电学控制工程化提供可能。
引用
@article{arxiv.1703.04175,
title = {Two-electron states of a group V donor in silicon from atomistic full configuration interaction},
author = {Archana Tankasala and Joseph Salfi and Juanita Bocquel and Benoit Voisin and Muhammad Usman and Gerhard Klimeck and Michelle Y. Simmons and Lloyd C. L. Hollenberg and Sven Rogge and Rajib Rahman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.04175},
year = {2018}
}
备注
7 pages, 4 figures