铁硫族化合物超导体中的隧穿间隙杂质
超导电性
2016-03-28 v1
摘要
近期扫描隧道显微镜（STM）实验在 超导（SC）化合物中的间隙Fe杂质（IFI）及其最近邻（nn）位点上观察到显著的局域隙内零能束缚态（ZBS）。通过引入一种新的杂质机制，即所谓的隧穿杂质，并基于Bogoliubov-de Gennes（BDG）方程，我们研究了IFI和底层Fe平面的低能态。我们发现，只要IFI与Fe平面之间的隧穿参数足够小且Fe平面处于深度SC态，ZBS的峰在磁场中就不会移动或分裂。我们的结果与实验吻合良好。我们还预言，自旋密度波（SDW）或电荷密度波（CDW）的调制将抑制ZBS的强度。
引用
@article{arxiv.1507.06358,
title = {Tunneling interstitial impurity in iron-chalcogenide based superconductors},
author = {Huaixiang Huang and Degang Zhang and Yi Gao and Wei Ren and C. S. Ting},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.06358},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 4 figures