通过应变工程调控聚苯胺片层的热电效率
介观与纳米尺度物理
2019-02-06 v1
摘要
二维聚苯胺单层（C3N）近来已被合成，是一种具有高电子迁移率的间接带隙半导体。在本研究中，我们结合密度泛函理论与格林函数形式，详细研究了C3N片层的电学与热学性质。观察到沿锯齿形方向的拉伸应变可诱导从间接到直接半导体的转变，而在压缩应变下该片层从半导体转变为金属。未拉伸C3N片层的热电效率在p型掺杂时较高，且其最大值在输运沿锯齿形方向时取得。施加应变后发现品质因数下降，且与应变方向无关。为克服这一下降，我们表明当电学输运与应变相互垂直时，C3N片层的热电效率可依据应变种类（拉伸或压缩）显著提高。结果预测了通过应变工程将C3N片层应用于热电与光电子工业的潜力。
引用
@article{arxiv.1902.01762,
title = {Tuning thermoelectric efficiency of polyaniline sheet by strain engineering},
author = {Sahar Izadi Vishkayi and Meysam Bagheri Tagani},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.01762},
year = {2019}
}
备注
9 pages, 9 figures