利用单轴应力调控半导体微腔的模式分裂
光学
2021-06-02 v1 材料科学
应用物理
量子物理
摘要
在包含半导体异质结构的微/纳米腔中，基光学模式的分裂是普遍观察到的现象。鉴于该分裂对光-物质相互作用乃至量子技术应用具有重要作用，一种调控模式分裂的方法十分关键。本工作中，我们使用由集成n-i-p异质结构的“底部”半导体分布布拉格反射镜(DBR)与“顶部”弯曲介质DBR组成的开放微腔。我们测量了阻带内模式分裂随波长的变化。我们展示了一种通过向半导体DBR施加单轴应力来可逆原位调控模式分裂的技术。该方法利用了半导体材料的光弹效应。我们实现了约11 GHz的最大调控。施加于异质结构的应力通过观测样品中嵌入量子点的光致发光、借助形变势将光谱位移转换为应力来确定。对阻带内模式分裂及其调控的深入研究使得对结果背后机制的定量理解得以实现。
引用
@article{arxiv.2102.09327,
title = {Tuning the mode-splitting of a semiconductor microcavity with uniaxial stress},
author = {Natasha Tomm and Alexander R. Korsch and Alisa Javadi and Daniel Najer and Rüdiger Schott and Sascha R. Valentin and Andreas D. Wieck and Arne Ludwig and Richard J. Warburton},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.09327},
year = {2021}
}
备注
7 pages, 5 figures