通过 Ag 掺杂调控 Ag-$\sqrt{3}$有序原子线中的一维等离激元
介观与纳米尺度物理
2015-06-17 v2
摘要
我们通过自组装在 Si(557) 表面上生成了高度为一个原子、平均宽度为 11 个原子的银线阵列，这些银线具有局域 有序结构；并结合高分辨率电子能量损失谱与低能电子衍射技术，研究了其中的一维等离激元形成机制。一系列热脱附实验及随后添加少量 Ag 的结果表明，由 (113) 晶面分隔的纯 Ag- 有序纳米线阵列本质上是半金属或半导体性质的。添加浓度高达几个单层百分比的 Ag 原子会导致一维等离激元的形成，且无任何浓度阈值。等离激元损耗对 Ag 浓度的定量依赖关系明显是非线性的，并与一维等离激元的 依赖关系完全兼容。痕量残留气体的吸附也可能产生 qualitatively 类似的掺杂效应。
引用
@article{arxiv.1308.5591,
title = {Tuning of one-dimensional plasmons by Ag-Doping in Ag-$\sqrt{3}$-ordered atomic wires},
author = {U. Krieg and Y. Zhang and C. Tegenkamp and H. Pfnür},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.5591},
year = {2015}
}
备注
13 pages, 4 figures