通过掺杂调控涂层超导体的 CeO$_2$缓冲层
材料科学
2013-11-15 v1 强关联电子
超导电性
摘要
涂层超导体缓冲层架构中使用的 CeO缓冲层出现微裂纹，表明该缓冲层与衬底之间存在应力。这种应力可能源于 CeO缓冲层与衬底之间热膨胀系数或晶格参数的差异。本文通过第一性原理密度泛函理论计算，研究了 IV 族掺杂元素对 CeO晶格参数和体模量的影响。在没有氧空位的系统中发现了晶格参数的 Vegard 定律行为，并从晶格膨胀中反推出了掺杂元素的 Shannon 晶体半径。我们表明，当掺杂浓度约为 时，掺杂 CeO的晶格参数可与涂覆在 NiW 衬底上的 LaZrO相匹配，而体模量匹配要么不可能，要么需要极高的掺杂浓度。
引用
@article{arxiv.1311.3556,
title = {Tuning of CeO$_2$ buffer layers for coated superconductors through doping},
author = {Danny E. P. Vanpoucke and Stefaan Cottenier and Veronique Van Speybroeck and Patrick Bultinck and Isabel Van Driessche},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.3556},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 1 table, 2 figures, EMRS 2011 Fall meeting symposium on Stress, structure and stoichiometry effects on nanomaterials