应变 Sb 单层中的可调高自旋陈数绝缘体相
材料科学
2024-12-10 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
高自旋陈数绝缘体（HSCI）已成为一种超越拓扑量子化学分类的凝聚态二维拓扑新相。在这项工作中，我们报告了在具有与自旋陈数等于 2 的 HSCI 相同能带拓扑的半金属 Sb 单层中的观测结果。我们的计算进一步表明，适度的晶格应变可以使 Sb 单层成为绝缘体或自旋陈数在 0 到 3 之间可调的半金属。这些结果表明，应变 Sb 单层是探索 HSCI 拓扑物质奇异特性的一个极具前景的平台。
引用
@article{arxiv.2312.02316,
title = {Tunable High Spin Chern-Number Insulator Phases in Strained Sb Monolayer},
author = {Jacob Cook and Po-Yuan Yang and Theo Volz and Clayton Conner and Riley Satterfield and Joseph Berglund and Qiangsheng Lu and Rob G. Moore and Yueh-Ting Yao and Tay-Rong Chang and Guang Bian},
journal= {arXiv preprint arXiv:2312.02316},
year = {2024}
}
备注
4 figures