纳米结构 VO$_x$ 薄膜中可调电子结构与化学计量依赖的无序性
介观与纳米尺度物理
2020-07-09 v1 材料科学
强关联电子
摘要
我们提出并讨论了一种合成具有可控化学计量和可调电子结构的无序纳米结构（NS）VO 薄膜的原始方法。在这些 NS 薄膜中，块体钒氧化物的原始晶格对称性被破坏，原子排列成高度无序的结构。通过原位 X 射线吸收近边结构（XANES）光谱表征了依赖于化学计量（作为氧浓度的函数）的无序性，并确定了其光谱指纹。结果显示出偏离八面体对称性的结构重排以及不同共存的无序相。本文还讨论了基于所得化学计量的 NS 薄膜电子结构调制以及 NS 颗粒中的量子限制效应。我们证明了调制 VO NS 薄膜电子结构的可能性，可获得具有可控化学计量的新无序原子构型，这为匹配大量技术应用提供了绝佳机遇。
引用
@article{arxiv.2004.07042,
title = {Tunable electronic structure and stoichiometry dependent disorder in Nanostructured VO$_x$ films},
author = {A. Delia and S. J. Rezvani and N. Zema and F. Zuccaro and M. Fanetti and Blaz Belec and B. W. Li and C. W. Zou and C. Spezzani and M. Sacchi and A. Marcelli and M. Coreno},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.07042},
year = {2020}
}