MnSi 近水平压力下的三临界行为
强关联电子
2009-11-11 v2 统计力学
摘要
对 MnSi 单晶的交流磁导率在压力为 0.8 GPa 的条件下沿铁磁相变线进行测量。结果表明三临界点位于显著低于此前报告的压力（约 1.2 GPa）且温度显著升高（Ptr~0.355 GPa, Ttr~25.2 K）的位置。这些新的观察对 MnSi 三临界点起源提出了一定的约束条件。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0509294,
title = {Tricritical behavior in MnSi at nearly hydrostatic pressure},
author = {Alla E. Petrova and Vladimir Krasnorussky and John Sarrao and Sergei M. Stishov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0509294},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 6 figures, reference [16] on page 5 removed