从预形成对视角看与赝能隙相关的输运反常

输运研究似乎是为赝能隙的预形成对（preformed pair）方法提供最有力支持的途径之一。在本文中，我们对两个重要物理量——抗磁 susceptibility 和电导率——提供了全新且物理图像清晰的审视。我们使用了一个三维预形成对框架，该框架在冷费米气体研究中已取得一定成功，并在此过程中调和了近期观测到的不一致性。具体而言，虽然我们要理论中的预形成对抗磁 susceptibility 贡献巨大，但电导率的虚部却在更接近$T_c$处被抑制为零，这与实验观测一致。