无塞曼场的 Rashba 半导体中的拓扑超导
介观与纳米尺度物理
2015-07-28 v3
摘要
本文提出了基于多线/多通道 Rashba 半导体的新型混合器件，这些器件可在无塞曼场的情况下容纳马约拉纳费米子 (Majorana fermions)。相反，可以利用磁通量、超流或电场，从而增强器件的可操控性。双纳米线/通道系统的通用拓扑相图展示了量子临界性的特征，以及每个边缘具有 0、1 或 2 个马约拉纳费米子的相之间的丰富相互作用。最突出且实验上最可行的实现方案依赖于已存在的 InAs-二维电子气（2DEG）平台，该平台位于约瑟夫森结之上。通过适当设计后一种器件，可以实现具有 1 或 2 个马约拉纳费米子的相，两者均可通过具有单倍或双倍电导单位的零偏压异常峰来检测。
引用
@article{arxiv.1409.5264,
title = {Topological superconductivity in Rashba semiconductors without a Zeeman field},
author = {Panagiotis Kotetes},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.5264},
year = {2015}
}
备注
11 pages including 3 appendices and 5 panels with 12 figures in total; accepted version to appear in Phys. Rev. B